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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.601232 | ¥16012.32 |
30000 | ¥1.560167 | ¥46805.01 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.2 ns
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN10A08E6TC
型号:ZXMN10A08E6TC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥1.601232 |
30000+: | ¥1.560167 |
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