货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.930633 | ¥5791.90 |
6000 | ¥1.737569 | ¥10425.41 |
15000 | ¥1.60886 | ¥24132.90 |
30000 | ¥1.583119 | ¥47493.57 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
上升时间 2.4 ns
晶体管类型 1 N - Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
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0SQS484CENW-T1_GE3
型号:SQS484CENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.930633 |
6000+: | ¥1.737569 |
15000+: | ¥1.60886 |
30000+: | ¥1.583119 |
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