
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥67.922165 | ¥67.92 |
| 10 | ¥61.342745 | ¥613.43 |
| 100 | ¥50.786915 | ¥5078.69 |
| 500 | ¥44.224519 | ¥22112.26 |
| 1000 | ¥38.907151 | ¥38907.15 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 120 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0TK040N65Z,S1F
型号:TK040N65Z,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥67.922165 |
| 10+: | ¥61.342745 |
| 100+: | ¥50.786915 |
| 500+: | ¥44.224519 |
| 1000+: | ¥38.907151 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥67.92