货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.955302 | ¥5865.91 |
6000 | ¥1.759808 | ¥10558.85 |
15000 | ¥1.629454 | ¥24441.81 |
30000 | ¥1.603354 | ¥48100.62 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.7 nC
耗散功率 19.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SIAA00DJ-T1-GE3
型号:SIAA00DJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.955302 |
6000+: | ¥1.759808 |
15000+: | ¥1.629454 |
30000+: | ¥1.603354 |
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