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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.8 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1E075XN
单位重量 10 mg
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0RQ1E075XNTCR
型号:RQ1E075XNTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
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