货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.850256 | ¥4.85 |
10 | ¥3.420053 | ¥34.20 |
100 | ¥1.722463 | ¥172.25 |
500 | ¥1.526962 | ¥763.48 |
1000 | ¥1.188314 | ¥1188.31 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 11.4 nC
耗散功率 1.75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
上升时间 6.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.9 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG6402LVT-7
型号:DMG6402LVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.850256 |
10+: | ¥3.420053 |
100+: | ¥1.722463 |
500+: | ¥1.526962 |
1000+: | ¥1.188314 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.85