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DMG6402LVT-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG6402LVT-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
渠道:
digikey

库存 :26413

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.850256 4.85
10 3.420053 34.20
100 1.722463 172.25
500 1.526962 763.48
1000 1.188314 1188.31

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6 A

漏源电阻 30 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 11.4 nC

耗散功率 1.75 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 2.8 ns

上升时间 6.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 13.9 ns

典型接通延迟时间 3.4 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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DMG6402LVT-7

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型号:DMG6402LVT-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:26413 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥4.850256
10+: ¥3.420053
100+: ¥1.722463
500+: ¥1.526962
1000+: ¥1.188314

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