IXTP12N65X2M
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- 制造商编号：
- IXTP12N65X2M
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：300
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 300 | ￥37.322587 | ￥11196.78 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
耗散功率 40 W
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 23 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 2 g
IXTP12N65X2M 同类别型号
注
IXTP12N65X2M品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTP12N65X2M
数据手册PDF。
IXTP12N65X2M
型号：IXTP12N65X2M
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 300+： | ￥37.322587 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00