货期:国内(1~3工作日)
起订量:450
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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450 | ¥17.162552 | ¥7723.15 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.6 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FCH190N65F_F155
单位重量 6 g
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0FCH190N65F-F155
型号:FCH190N65F-F155
品牌:ON
供货:锐单
单价:
450+: | ¥17.162552 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00