
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.816126 | ¥19.82 |
| 10 | ¥17.658069 | ¥176.58 |
| 100 | ¥13.766778 | ¥1376.68 |
| 500 | ¥11.372286 | ¥5686.14 |
| 1000 | ¥8.978064 | ¥8978.06 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 71 ns
正向跨导(Min) 24 S
上升时间 91 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0NVD6495NLT4G-VF01
型号:NVD6495NLT4G-VF01
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.816126 |
| 10+: | ¥17.658069 |
| 100+: | ¥13.766778 |
| 500+: | ¥11.372286 |
| 1000+: | ¥8.978064 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.82