
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.377934 | ¥24.38 |
| 10 | ¥21.877634 | ¥218.78 |
| 100 | ¥17.924885 | ¥1792.49 |
| 500 | ¥15.259337 | ¥7629.67 |
| 1000 | ¥12.869333 | ¥12869.33 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 3.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 1.600 g
购物车
0IXFA4N100P
型号:IXFA4N100P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.377934 |
| 10+: | ¥21.877634 |
| 100+: | ¥17.924885 |
| 500+: | ¥15.259337 |
| 1000+: | ¥12.869333 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥24.38