货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥253.797911 | ¥253.80 |
10 | ¥233.236019 | ¥2332.36 |
100 | ¥196.982218 | ¥19698.22 |
500 | ¥175.229702 | ¥87614.85 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 6.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 190 nC
耗散功率 960 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK170N25X3
型号:IXFK170N25X3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥253.797911 |
10+: | ¥233.236019 |
100+: | ¥196.982218 |
500+: | ¥175.229702 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥253.80