
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.503762 | ¥4511.29 |
| 6000 | ¥1.424576 | ¥8547.46 |
| 9000 | ¥1.319094 | ¥11871.85 |
| 30000 | ¥1.306005 | ¥39180.15 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 3.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS159N H6906 SP000702636
单位重量 8 mg
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0BSS159NH6906XTSA1
型号:BSS159NH6906XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.503762 |
| 6000+: | ¥1.424576 |
| 9000+: | ¥1.319094 |
| 30000+: | ¥1.306005 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00