
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥141.036656 | ¥141.04 |
| 25 | ¥116.89769 | ¥2922.44 |
| 100 | ¥109.591731 | ¥10959.17 |
| 500 | ¥93.518388 | ¥46759.19 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 225 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 46 S
上升时间 23 ns
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 64 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
购物车
0IXFK120N65X2
型号:IXFK120N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥141.036656 |
| 25+: | ¥116.89769 |
| 100+: | ¥109.591731 |
| 500+: | ¥93.518388 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥141.04