
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.75957 | ¥15.76 |
| 10 | ¥9.864885 | ¥98.65 |
| 100 | ¥6.459908 | ¥645.99 |
| 500 | ¥4.993663 | ¥2496.83 |
| 1000 | ¥4.521027 | ¥4521.03 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 3.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS159N H6906 SP000702636
单位重量 8 mg
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0BSS159NH6906XTSA1
型号:BSS159NH6906XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.75957 |
| 10+: | ¥9.864885 |
| 100+: | ¥6.459908 |
| 500+: | ¥4.993663 |
| 1000+: | ¥4.521027 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.76