货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.290995 | ¥9.29 |
10 | ¥8.002645 | ¥80.03 |
100 | ¥5.543628 | ¥554.36 |
500 | ¥4.631623 | ¥2315.81 |
1000 | ¥3.941737 | ¥3941.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 3.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS159N H6906 SP000702636
单位重量 8 mg
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0BSS159NH6906XTSA1
型号:BSS159NH6906XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.290995 |
10+: | ¥8.002645 |
100+: | ¥5.543628 |
500+: | ¥4.631623 |
1000+: | ¥3.941737 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.29