
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥220.636306 | ¥220.64 |
| 10 | ¥203.496242 | ¥2034.96 |
| 100 | ¥173.771115 | ¥17377.11 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
下降时间 11 ns
漏极电流 76 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 595 W
漏源电阻 30 mOhms
上升时间 28 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 37 ns
漏源击穿电压 650 V
栅源极阈值电压 3 V
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXTN102N65X2
型号:IXTN102N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥220.636306 |
| 10+: | ¥203.496242 |
| 100+: | ¥173.771115 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥220.64