货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.174492 | ¥7.17 |
10 | ¥6.302299 | ¥63.02 |
100 | ¥4.830825 | ¥483.08 |
500 | ¥3.819081 | ¥1909.54 |
1000 | ¥3.055279 | ¥3055.28 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 7.8 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
上升时间 92 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 6.3 mm
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQU10N20CTU_NL
单位重量 340 mg
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0FQU10N20CTU
型号:FQU10N20CTU
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.174492 |
10+: | ¥6.302299 |
100+: | ¥4.830825 |
500+: | ¥3.819081 |
1000+: | ¥3.055279 |
货期:1-2天
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