货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.629042 | ¥3.63 |
10 | ¥2.764985 | ¥27.65 |
30 | ¥2.606574 | ¥78.20 |
100 | ¥2.448163 | ¥244.82 |
500 | ¥2.376158 | ¥1188.08 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0RQ3E130MNTB1
型号:RQ3E130MNTB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.629042 |
10+: | ¥2.764985 |
30+: | ¥2.606574 |
100+: | ¥2.448163 |
500+: | ¥2.376158 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.63