货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥172.385675 | ¥172.39 |
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 47 A
漏源电阻 34 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 189 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.2 ns
上升时间 13.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.7 ns
典型接通延迟时间 24.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMW65R027M1H SP005398440
单位重量 6 g
购物车
0IMW65R027M1HXKSA1
型号:IMW65R027M1HXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥172.385675 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥172.39