
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.660323 | ¥5.66 |
| 10 | ¥3.319704 | ¥33.20 |
| 100 | ¥1.814363 | ¥181.44 |
| 500 | ¥1.624972 | ¥812.49 |
| 1000 | ¥1.442772 | ¥1442.77 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS314PE H6327 SP000928944
单位重量 8 mg
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0BSS314PEH6327XTSA1
型号:BSS314PEH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.660323 |
| 10+: | ¥3.319704 |
| 100+: | ¥1.814363 |
| 500+: | ¥1.624972 |
| 1000+: | ¥1.442772 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.66