BSC886N03LSGATMA1
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- 制造商编号：
- BSC886N03LSGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：11
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 11 | ￥8.702208 | ￥95.72 |
| 20 | ￥6.526614 | ￥130.53 |
| 50 | ￥5.221357 | ￥261.07 |
| 100 | ￥4.786272 | ￥478.63 |
| 1000 | ￥4.351186 | ￥4351.19 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC886N03LSGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A (Ta), 65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
26nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 39W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
BSC886N03LSGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
BSC886N03LSGATMA1
型号：BSC886N03LSGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 11+： | ￥8.702208 |
| 20+： | ￥6.526614 |
| 50+： | ￥5.221357 |
| 100+： | ￥4.786272 |
| 1000+： | ￥4.351186 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00