货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
4000 | ¥2.579033 | ¥10316.13 |
8000 | ¥2.401168 | ¥19209.34 |
12000 | ¥2.312236 | ¥27746.83 |
28000 | ¥2.252948 | ¥63082.54 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
正向跨导(Min) 2.3 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.11 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7606TRPBF SP001563726
单位重量 191.170 mg
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0IRF7606TRPBF
型号:IRF7606TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥2.579033 |
8000+: | ¥2.401168 |
12000+: | ¥2.312236 |
28000+: | ¥2.252948 |
货期:1-2天
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