货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.516586 | ¥11.52 |
10 | ¥10.136995 | ¥101.37 |
100 | ¥7.776095 | ¥777.61 |
500 | ¥6.146977 | ¥3073.49 |
1000 | ¥4.917582 | ¥4917.58 |
2000 | ¥4.45656 | ¥8913.12 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
正向跨导(Min) 2.3 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.11 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7606TRPBF SP001563726
单位重量 191.170 mg
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0IRF7606TRPBF
型号:IRF7606TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.516586 |
10+: | ¥10.136995 |
100+: | ¥7.776095 |
500+: | ¥6.146977 |
1000+: | ¥4.917582 |
2000+: | ¥4.45656 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.52