
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.145044 | ¥5.15 |
| 10 | ¥4.613 | ¥46.13 |
| 25 | ¥4.375627 | ¥109.39 |
| 100 | ¥3.28172 | ¥328.17 |
| 250 | ¥3.250733 | ¥812.68 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 3.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHD3N50D-BE3
单位重量 330 mg
购物车
0SIHD3N50D-E3
型号:SIHD3N50D-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.145044 |
| 10+: | ¥4.613 |
| 25+: | ¥4.375627 |
| 100+: | ¥3.28172 |
| 250+: | ¥3.250733 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.15