
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥48.702524 | ¥48.70 |
| 10 | ¥43.995977 | ¥439.96 |
制造商 IXYS
商标名 HyperFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH9N80
型号:IXFH9N80
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥48.702524 |
| 10+: | ¥43.995977 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥48.70