BSZ050N03MSGATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSZ050N03MSGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：9978
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.925638 | ￥11.93 |
| 10 | ￥10.45481 | ￥104.55 |
| 100 | ￥8.015355 | ￥801.54 |
| 500 | ￥6.33596 | ￥3167.98 |
| 1000 | ￥5.068927 | ￥5068.93 |
| 2000 | ￥4.593755 | ￥9187.51 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSZ050N03MSGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
46nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3600pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 48W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSZ050N03MSGATMA1 相关产品
BSZ050N03MSGATMA1 同类别型号
注
BSZ050N03MSGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购BSZ050N03MSGATMA1、查询BSZ050N03MSGATMA1代理商；
BSZ050N03MSGATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
BSZ050N03MSGATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BSZ050N03MSGATMA1
替代型号
、BSZ050N03MSGATMA1
数据手册PDF
。
BSZ050N03MSGATMA1
型号：BSZ050N03MSGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：9978 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.925638 |
| 10+： | ￥10.45481 |
| 100+： | ￥8.015355 |
| 500+： | ￥6.33596 |
| 1000+： | ￥5.068927 |
| 2000+： | ￥4.593755 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.93