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SI7788DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7788DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:10

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10 5.525936 55.26
50 5.15756 257.88
100 4.881205 488.12
500 4.789183 2394.59
1000 4.697017 4697.02
3000 4.604995 13814.98

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 50 A

漏源电阻 3.1 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 125 nC

耗散功率 69 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7788DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7788DP-T1-GE3

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型号:SI7788DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

10+: ¥5.525936
50+: ¥5.15756
100+: ¥4.881205
500+: ¥4.789183
1000+: ¥4.697017
3000+: ¥4.604995

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