IPD65R950CFDBTMA1
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- 制造商编号：
- IPD65R950CFDBTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
- 渠道：
- digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPD65R950CFDBTMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
CoolMOS™
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
950mOhm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14.1nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
380pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
36.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
IPD65R950CFDBTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
IPD65R950CFDBTMA1
型号：IPD65R950CFDBTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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