SISA10DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISA10DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：5563
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.780738 | ￥13.78 |
| 10 | ￥12.309909 | ￥123.10 |
| 100 | ￥9.60014 | ￥960.01 |
| 500 | ￥7.930551 | ￥3965.28 |
| 1000 | ￥6.260961 | ￥6260.96 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 52 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SISA10DN-GE3
单位重量 1 g
SISA10DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISA10DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SISA10DN-T1-GE3、查询SISA10DN-T1-GE3代理商；
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替代型号
、SISA10DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISA10DN-T1-GE3
型号：SISA10DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5563 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.780738 |
| 10+： | ￥12.309909 |
| 100+： | ￥9.60014 |
| 500+： | ￥7.930551 |
| 1000+： | ￥6.260961 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.78