
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥880.481532 | ¥880.48 |
| 10 | ¥824.915564 | ¥8249.16 |
| 20 | ¥808.756913 | ¥16175.14 |
| 50 | ¥776.934266 | ¥38846.71 |
| 100 | ¥759.456543 | ¥75945.65 |
| 200 | ¥722.192717 | ¥144438.54 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
下降时间 6 ns
漏极电流 170 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1.17 kW
漏源电阻 13 mOhms
上升时间 15 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 133 ns
典型接通延迟时间 60 ns
漏源击穿电压 650 V
栅源极阈值电压 3.5 V
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN170N65X2
型号:IXFN170N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥880.481532 |
| 10+: | ¥824.915564 |
| 20+: | ¥808.756913 |
| 50+: | ¥776.934266 |
| 100+: | ¥759.456543 |
| 200+: | ¥722.192717 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥880.48