货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥92.412839 | ¥92.41 |
10 | ¥84.952678 | ¥849.53 |
100 | ¥71.747711 | ¥7174.77 |
500 | ¥63.824321 | ¥31912.16 |
1000 | ¥58.542335 | ¥58542.33 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 152 nC
耗散功率 714 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK120N20P
型号:IXFK120N20P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥92.412839 |
10+: | ¥84.952678 |
100+: | ¥71.747711 |
500+: | ¥63.824321 |
1000+: | ¥58.542335 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥92.41