IRFH5302DTRPBF
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- 制造商编号：
- IRFH5302DTRPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：8000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.06001 | ￥6.06 |
| 10 | ￥4.458318 | ￥44.58 |
| 30 | ￥4.17761 | ￥125.33 |
| 100 | ￥3.880388 | ￥388.04 |
| 500 | ￥3.74829 | ￥1874.14 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFH5302DTRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
包装
-
系列
HEXFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
29A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.5mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
55nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3635pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PQFN (5x6) Single Die
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
IRFH5302DTRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRFH5302DTRPBF
数据手册PDF
。
IRFH5302DTRPBF
型号：IRFH5302DTRPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：8000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.06001 |
| 10+： | ￥4.458318 |
| 30+： | ￥4.17761 |
| 100+： | ￥3.880388 |
| 500+： | ￥3.74829 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.06