货期:(7~10天)
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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30 | ¥105.120972 | ¥3153.63 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 15 S, 25 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFR24N80P
型号:IXFR24N80P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
30+: | ¥105.120972 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00