
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.467588 | ¥29.47 |
| 10 | ¥26.435827 | ¥264.36 |
| 100 | ¥21.247831 | ¥2124.78 |
| 500 | ¥17.456713 | ¥8728.36 |
| 1000 | ¥14.464051 | ¥14464.05 |
| 2000 | ¥13.602551 | ¥27205.10 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 1.1 S
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0IXTY2N65X2
型号:IXTY2N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.467588 |
| 10+: | ¥26.435827 |
| 100+: | ¥21.247831 |
| 500+: | ¥17.456713 |
| 1000+: | ¥14.464051 |
| 2000+: | ¥13.602551 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.47