货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥58.727114 | ¥58.73 |
200 | ¥22.739116 | ¥4547.82 |
500 | ¥21.932662 | ¥10966.33 |
1000 | ¥21.543836 | ¥21543.84 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 337 A
漏源电阻 1.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 147 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 400 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 29 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 319.280 mg
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0NVMTS1D2N08H
型号:NVMTS1D2N08H
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥58.727114 |
200+: | ¥22.739116 |
500+: | ¥21.932662 |
1000+: | ¥21.543836 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥58.73