
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥1.190396 | ¥2975.99 |
| 5000 | ¥1.100745 | ¥5503.73 |
| 7500 | ¥1.054784 | ¥7910.88 |
| 12500 | ¥1.002887 | ¥12536.09 |
| 17500 | ¥1.002256 | ¥17539.48 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 20.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.4 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 23.8 ns
典型接通延迟时间 9.7 ns
高度 1.1 mm
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RS1G120MN
单位重量 771.020 mg
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0RS1G120MNTB
型号:RS1G120MNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥1.190396 |
| 5000+: | ¥1.100745 |
| 7500+: | ¥1.054784 |
| 12500+: | ¥1.002887 |
| 17500+: | ¥1.002256 |
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