
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.79083 | ¥9.79 |
| 10 | ¥6.60881 | ¥66.09 |
| 100 | ¥4.508372 | ¥450.84 |
| 500 | ¥3.549175 | ¥1774.59 |
| 1000 | ¥3.232199 | ¥3232.20 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 20.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.4 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 23.8 ns
典型接通延迟时间 9.7 ns
高度 1.1 mm
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RS1G120MN
单位重量 771.020 mg
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0RS1G120MNTB
型号:RS1G120MNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.79083 |
| 10+: | ¥6.60881 |
| 100+: | ¥4.508372 |
| 500+: | ¥3.549175 |
| 1000+: | ¥3.232199 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.79