货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥196.030476 | ¥196.03 |
10 | ¥180.215456 | ¥1802.15 |
100 | ¥152.198251 | ¥15219.83 |
500 | ¥135.39148 | ¥67695.74 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 27.4 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 259 nC
耗散功率 595 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 56 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 122 ns
典型接通延迟时间 51 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0NTH4L027N65S3F
型号:NTH4L027N65S3F
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥196.030476 |
10+: | ¥180.215456 |
100+: | ¥152.198251 |
500+: | ¥135.39148 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥196.03