货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.984288 | ¥4.98 |
10 | ¥3.576227 | ¥35.76 |
100 | ¥1.803066 | ¥180.31 |
500 | ¥1.597715 | ¥798.86 |
1000 | ¥1.243456 | ¥1243.46 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 0.05 S
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0BSS84WQ-7-F
型号:BSS84WQ-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.984288 |
10+: | ¥3.576227 |
100+: | ¥1.803066 |
500+: | ¥1.597715 |
1000+: | ¥1.243456 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.98