CSD23203WT
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- 制造商编号：
- CSD23203WT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥5.368576 | ￥1342.14 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 53 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 4.9 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
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注
CSD23203WT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD23203WT
数据手册PDF
。
CSD23203WT
型号：CSD23203WT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥5.368576 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00