STB85NF55LT4
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- 制造商编号：
- STB85NF55LT4
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：1561
货期：（7~10天）
起订量：19
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 19 | ￥9.025801 | ￥171.49 |
| 20 | ￥8.678738 | ￥173.57 |
| 50 | ￥8.331532 | ￥416.58 |
| 100 | ￥7.984325 | ￥798.43 |
| 300 | ￥7.637117 | ￥2291.14 |
| 500 | ￥7.290054 | ￥3645.03 |
| 1000 | ￥6.942847 | ￥6942.85 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB85NF55LT4
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ II
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 40A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
110nC @ 5V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4050pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB85NF55LT4 同类别型号
注
STB85NF55LT4品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STB85NF55LT4
数据手册PDF。
STB85NF55LT4
型号：STB85NF55LT4
品牌：ST
供货：锐单
库存：1561 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 19+： | ￥9.025801 |
| 20+： | ￥8.678738 |
| 50+： | ￥8.331532 |
| 100+： | ￥7.984325 |
| 300+： | ￥7.637117 |
| 500+： | ￥7.290054 |
| 1000+： | ￥6.942847 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00