货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.60654 | ¥11.61 |
10 | ¥9.53218 | ¥95.32 |
100 | ¥7.414603 | ¥741.46 |
500 | ¥6.284326 | ¥3142.16 |
1000 | ¥5.119226 | ¥5119.23 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 10.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJA00EP-T1_GE3
型号:SQJA00EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.60654 |
10+: | ¥9.53218 |
100+: | ¥7.414603 |
500+: | ¥6.284326 |
1000+: | ¥5.119226 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.61