货期:国内(1~3工作日)
起订量:500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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500 | ¥71.379751 | ¥35689.88 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 239 nC
耗散功率 520 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 103 ns
上升时间 122 ns
典型关闭延迟时间 213 ns
典型接通延迟时间 66 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG64N65E-GE3
型号:SIHG64N65E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
500+: | ¥71.379751 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00