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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 7.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 6.3 mm
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQU2N90TU_WS
单位重量 340 mg
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0FQU2N90TU-WS
型号:FQU2N90TU-WS
品牌:ON
供货:锐单
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