货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.711956 | ¥2135.87 |
6000 | ¥0.696088 | ¥4176.53 |
9000 | ¥0.616533 | ¥5548.80 |
30000 | ¥0.608526 | ¥18255.78 |
75000 | ¥0.517071 | ¥38780.32 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.7 ns
正向跨导(Min) 9 S
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
开发套件 -
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS806N H6327 SP000928952
单位重量 8 mg
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0BSS806NH6327XTSA1
型号:BSS806NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.711956 |
6000+: | ¥0.696088 |
9000+: | ¥0.616533 |
30000+: | ¥0.608526 |
75000+: | ¥0.517071 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00