货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥179.706694 | ¥179.71 |
10 | ¥158.316659 | ¥1583.17 |
100 | ¥136.92409 | ¥13692.41 |
500 | ¥124.088042 | ¥62044.02 |
1000 | ¥113.818672 | ¥113818.67 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 68.5 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 300 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R041CFD SP001987360
单位重量 6 g
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0IPW65R041CFDFKSA2
型号:IPW65R041CFDFKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥179.706694 |
10+: | ¥158.316659 |
100+: | ¥136.92409 |
500+: | ¥124.088042 |
1000+: | ¥113.818672 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥179.71