
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥206.047285 | ¥206.05 |
| 10 | ¥181.521996 | ¥1815.22 |
| 100 | ¥156.993802 | ¥15699.38 |
| 500 | ¥142.276305 | ¥71138.15 |
| 1000 | ¥130.501696 | ¥130501.70 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 68.5 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 300 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R041CFD SP001987360
单位重量 6 g
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0IPW65R041CFDFKSA2
型号:IPW65R041CFDFKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥206.047285 |
| 10+: | ¥181.521996 |
| 100+: | ¥156.993802 |
| 500+: | ¥142.276305 |
| 1000+: | ¥130.501696 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥206.05