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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.8 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 RJU002N06
单位重量 6 mg
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0RJU002N06T106
型号:RJU002N06T106
品牌:ROHM
供货:锐单
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