货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.860703 | ¥4.86 |
10 | ¥3.464809 | ¥34.65 |
100 | ¥1.748608 | ¥174.86 |
500 | ¥1.549693 | ¥774.85 |
1000 | ¥1.205953 | ¥1205.95 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 800 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.4 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 7.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.8 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS214N H6327 SP000928936
单位重量 8 mg
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0BSS214NH6327XTSA1
型号:BSS214NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.860703 |
10+: | ¥3.464809 |
100+: | ¥1.748608 |
500+: | ¥1.549693 |
1000+: | ¥1.205953 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.86