
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥5.353847 | ¥1338.46 |
| 500 | ¥4.581563 | ¥2290.78 |
| 1250 | ¥3.732179 | ¥4665.22 |
| 2500 | ¥3.513447 | ¥8783.62 |
| 6250 | ¥3.346096 | ¥20913.10 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 53 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 88.300 mg
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0CSD17577Q5AT
型号:CSD17577Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥5.353847 |
| 500+: | ¥4.581563 |
| 1250+: | ¥3.732179 |
| 2500+: | ¥3.513447 |
| 6250+: | ¥3.346096 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00