
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.048396 | ¥5.05 |
| 10 | ¥3.074932 | ¥30.75 |
| 100 | ¥1.922981 | ¥192.30 |
| 500 | ¥1.423648 | ¥711.82 |
| 1000 | ¥1.2621 | ¥1262.10 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 800 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.4 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 7.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.8 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS214N H6327 SP000928936
单位重量 8 mg
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0BSS214NH6327XTSA1
型号:BSS214NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.048396 |
| 10+: | ¥3.074932 |
| 100+: | ¥1.922981 |
| 500+: | ¥1.423648 |
| 1000+: | ¥1.2621 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.05